2022-09-19 14:22:44來源：快科技
Intel以往是全球最先進芯片工藝的領(lǐng)導(dǎo)者，然而在14nm到10nm節(jié)點之間遇到了問題，導(dǎo)致臺積電、三星追趕上來了，并且率先量產(chǎn)了EUV工藝，不過Intel也在努力反超，CEO制定的路線圖意味著他們只要2年就能實現(xiàn)EUV工藝趕超臺積電、三星的計劃。
Intel目前量產(chǎn)的工藝是Intel 7，從明年的14代酷睿開始進入Intel 4工藝，這是Intel首個EUV工藝，之后的Intel 3工藝則是在Intel 4基礎(chǔ)上改進。
2024年上半年Intel會量產(chǎn)20A工藝，原定2025年量產(chǎn)的18A工藝也提前到了2024年下半年，這兩代工藝會放棄FinFET晶體管工藝，首次進入埃米級工藝，用上Intel的兩大黑科技技術(shù)，也就是RibbonFET和PowerVia，前者是GAA晶體管的Intel版，后者是Intel首創(chuàng)并獨有的背面供電技術(shù)。
按照Intel的計劃，這個路線圖意味著他們在2023-2024年的1-2年內(nèi)就會實現(xiàn)三代EUV工藝量產(chǎn)，而且技術(shù)水平足以超過臺積電重返第一的。
要知道，臺積電、三星最早在2018-2019年就開始生產(chǎn)EUV工藝，華為的麒麟990是首個臺積電7nm EUV工藝，到2024-2025年的時候，這兩家量產(chǎn)EUV工藝至少5-6年時間，Intel只用1-2年就輕松超越了。
Intel現(xiàn)在的4年量產(chǎn)5代CPU工藝的路線圖如果沒有任何跳票，那真的是Intel的奇跡4年。
關(guān)鍵詞： 工藝量產(chǎn) 技術(shù)水平 晶體管工藝 科技技術(shù)
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